典型半導體激光器的輸出光功率與正向輸入電流之間的關系下圖所示：

               圖    半導體激光器的輸出功率和電流關系曲線

　　這個激光器的閾值電流是75 mA。在閾值電流以下，隨驅動電流的增加輸出光功率也非常緩慢的增加。這是因為在復合層中由于自發(fā)輻射引起的非相干輻射所致。當電流超過閾值電流時，由光譜測量顯示，其輸出線寬迅速變窄。對于絕大多數(shù)激光器，閾值電流在5 mA到250mA之間。在閾值狀態(tài)下，電壓為1.2 v。2 v。正向電流隨激光器電壓的增加而迅速增加。超過閾值后，電壓只要略微增加一點就可以使電流到達預定的工作點。連續(xù)工作的半導體激光器(或連續(xù)波激光器，CW，continuous wave)輸出功率的典型值為1 mW一10 mW。低占空比的脈沖激光器可以在很大的峰值功率下安全工作，但是連續(xù)波激光器可以以很快的速度開關，所以對于通信來說連續(xù)波激光器更為有用。工作電流一般是在閾值電流以上20 mA～40 mA。如果工作電流超過制造商建議的工作電流，將會縮短激光器的壽命。

　　半導體激光器比發(fā)光二極管有更敏感的溫度特性。當溫度增加時，激光器增益降低，而為了使振蕩器工作需要更大的電流，也就是說，閾值電流變得更大了(增長系數(shù)為1.5%/)℃。導致這種效應的原因可以解釋為：由于發(fā)熱在，n區(qū)產(chǎn)生了空穴，并且在p區(qū)產(chǎn)生了電子。這些自由電荷與自由電子和自由空穴在有源區(qū)以外復合，減少了到達有源區(qū)的電荷，也就減少了能產(chǎn)生受激輻射和增益的電荷數(shù)量。另外，有源層中發(fā)熱生成的電子和空穴將產(chǎn)生非輻射性復合，降低了粒子數(shù)反轉狀態(tài)，同樣會使增益降低以及閾值電流增加。

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